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O: Oberflächenphysik
O 11: Poster (I)
O 11.53: Poster
Monday, March 23, 1998, 19:30–22:30, Bereich C
Direkte Beobachtung der dissoziativen Chemisorption von O2 auf Si(113) — •Hans-Joachim Müssig, Jarek Dabrowski, and Silvia Hinrich — Institut für Halbleiterphysik Frankfurt (Oder), Walter-Korsing-Straße 2, D-15230 Frankfurt (Oder)
Nach unserem Wissen ist es uns erstmals gelungen, bei Raumtemperatur die dissoziative Chemisorption von Sauerstoffmolekülen auf Silizium mit Hilfe der Rastertunnelmikroskopie (STM) und -spektroskopie (STS) direkt im atomaren Maßstab nachzuweisen. Wegen der fehlenden chemischen Empfindlichkeit des STM ist eine Identifikation der Struktur von Reaktionsprodukten nur selten möglich. Die spezifischen Adsorptionsplätze auf der Si(113)-Oberfläche mit ihren Bindungsgeometrien bieten jedoch die Möglichkeit, sowohl chemisorbierte Sauerstoffmoleküle in einem "precursor" als auch deren Zerfall nach etwa 12 Stunden zu beobachten.