Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.7: Poster

Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Wachstum von Si auf poly-Fe — •M. Rebhan und M. Stratmann — Lehrstuhl für Korrosion und Oberflächentechnik, Univer- sität Erlangen-Nürnberg

Um Eisen in chemisch reaktiven Medien einzusetzen oder als hartes Schneidematerial verwenden zu können, ist es nötig, dieses zu beschichten. Diamant ist dafür ein passendes Material. Jedoch ist die Adhäsion zwischen der Eisenoberfläche und dem Diamantfilm sehr gering im Gegensatz zu Silizium, das sich als Haftvermittler eignet. Daher wurde der Wachstumsmechanismus von Si auf poly-Fe untersucht.

Aus einem Silan-Wasserstoff-Gasgemisch wurde Si auf polykristallinem Fe mittels CVD bei 800 K abgeschieden, wobei die Deposition in Abhängigkeit vom Silan-Partialdruck und den Präparationsbedingungen der Probe untersucht wurde. Der zeitliche Verlauf des Schichtdickenwachstums wurde gravimetrisch bestimmt. Au=3DDFerdem wurden XPS und Scanning Auger Experimente durchgeführt. Daraus lä=3DDFt sich der Mechanismus der Phasengrenzreaktionen zwischen Si und Fe erkennen. Dabei spielt dabei die Diffusion des Si in den bulk-Fe eine entscheidende Rolle.