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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.78: Poster

Monday, March 23, 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Schwefel Modifikation von GaAs(100) Oberflächen — •St. Hohenecker¹, D. Drews¹, T. Werninghaus¹, W. Braun² und D.R.T. Zahn¹ — ¹Institut für Physik, Prof. f. Halbleiterphysik, TU Chemnitz, D-09107 Chemnitz — ²BESSY GmbH, Lentzeallee 100, D-14195 Berlin

Seit einigen Jahren besteht verstärktes Interesse an der Chalkogenpassivierung von GaAs(100) Oberflächen. Allerdings existieren nur wenige Untersuchungen zur Passivierung von p-dotiertem GaAs(100) und einer anschliessenden Metalldeposition zur Überprüfung der Abhängigkeit der Schottkybarrierenhöhe von der Metallaustrittsarbeit. Hier wurden die passivierenden Eigenschaften von Schwefel auf GaAs(100) mittels hochauflösender Photoemissionsspektroskopie (SXPS) untersucht. Die n- und p-dotierten GaAs(100) Proben wurden in situ präpariert, wobei eine c(4x4) Oberflächenrekonstruktion erhalten wurde. Diese Proben wurden dann bei erhöhter Temperatur einem atomaren Schwefelfluss ausgesetzt. Aufgrund der Photoemissionsspektren wurde auf die Bildung einer galliumsulfidartigen Schicht an der Oberfläche geschlossen, während Arsen nur in einer volumenartigen Umgebung beobachtet wurde. Die Untersuchung des Ferminiveaus zeigte eine Verschiebung von 0.1-0.2 eV für p- und von 0.3-0.4 eV für n- dotiertes GaAs(100) in Richtung des Leitungsbandminimums. Danach wurden verschiedene Metalle aufgedampft, wobei die Reaktivität an der Metall/Galliumsulfid-Grenzfläche und die Ausbildung der Schottkybarriere mittels Photoemission untersucht wurden.