Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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O: Oberflächenphysik
O 11: Poster (I)
O 11.8: Poster
Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C
Epitaktische CaF2 Schichten auf Si(111): Der Einflu"s von Terrassen- und Stufennukleation auf die Schichtmorphologie — •J. Wollschläger, A. Klust, R. Kayser, and H. Pietsch — Institut f"ur Festkörperphysik, Universit"at Hannover, Appelstr.2, D-30167 Hannover
Im Zuge der Miniaturisierung von Bauelementen, die in der Nanoelektronik zu extrem hohen Anforderungen f"uhrt, ist es wichtig, qualitativ hochwertige, nur wenige atomaren Lagen dicke Isolatorschichten herzustellen. CaF2 ist aufgrund der geringen Gitterfehlanpassung ein geeigneter Kandidat, um diese Anforderungen zu erf"ullen. Heteroepitaktische zeigen im Gegensatz zur Homoepitaxie ganz neue Wachstumsph"anomene, die auf den unterschiedlichen Bindungsverh"altnissen zwischen Substrat und Adschicht beruhen. So w"achst die Adschicht auf einem vicinalen Substrat bei erh"ohter Temperatur nicht unbedingt im Step-Flow Mode, sondern es k"onnen 3D Inseln an den Substratstufen nukleieren. Wir haben dieses Ph"anomen mit Hilfe der UHV-Rasterkraftmikroskopie bei dem Wachstum von CaF2-Schichten auf Si(111) studiert. Die Schichten wurden im Temperaturbereich von 400oC bis 650oC auf Si(111)-Substraten mit geringer Fehlneigung aufgebracht. Oberhalb von 500oC ist die Schichtmorphologie durch die Stufennukleation dominiert. Daher k"onnen geschlossen Schichten, wie sie in der Nanoelektronik ben"otigt werden, nur unterhalb dieser Temperatur hergestellt werden. Die "Ubergangstempertur zwischen Terrassen- und Stufennukleation erlaubt R"uckschl"usse auf die Diffusionskonstante von CaF2.