Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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O: Oberflächenphysik

O 11: Poster (I)

O 11.87: Poster

Montag, 23. März 1998, 19:30–22:30, Bereich C

Stöchiometrische Phasenübergänge niedrigindizierter Fe₃Si-
Oberflächen — •J. Schardt¹, W. Weiss¹, C. Polop², W. Meier¹, P.L. de Andres², U. Starke¹ und K. Heinz¹ — ¹Lehrstuhl für Festkörperphysik, Universität Erlangen-Nürnberg, Staudtstraße 7, D-91058 Erlangen — ²Instituto de Ciencia de Materiales (CSIC), Cantoblanco, E-28049 Madrid

Bei binären Verbindungen ist die Segregation eines der beiden Systemkonstituenten ein häufig beobachtetes Phänomen, wobei die auftretenden Veränderungen der Stöchiometrie meist nicht auf die oberste atomare Lage beschränkt sind. Im Falle der (100)-, (110)- und (111)-Oberflächen von Fe₃Si-Volumenproben können jeweils zwei stöchiometrisch unterschiedliche Phasen stabilisiert werden, die durch ausgedehnte Heizzyklen reversibel ineinander überführbar sind. Eine Abgrenzung der Phasen konnte durch quantitative Auger-Elektronen-Spektroskopie (AES) und mittels Beugung langsamer Elektronen (LEED) infolge unterschiedlicher I(E)-Spektren für die verschiedenen Phasen vorgenommen werden. Für alle Phasen wurden LEED-Strukturanalysen durchgeführt. Im Temperaturbereich um 400^∘C wird für alle drei Oberflächen das Vorliegen der für Fe₃Si bekannten DO₃-Struktur bestätigt. Dagegen wird bei Präparationstemperaturen um 600^∘C eine Umstrukturierung der oberflächennahen Bereiche beobachtet, die als Konsequenz einer verstärkten Si-Segregation in der Ausbildung einer CsCl-Struktur resultiert. (Gefördert durch die DFG/SFB292.)