Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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SYF: Symposium Fest-Flüssig-Grenzflächen

SYF 2: Fest/Flüssig - Grenzflächen

SYF 2.2: Poster

Donnerstag, 26. März 1998, 20:00–22:30, Bereich C

In-situ STM Untersuchungen der Korrosion von alkanthiol-
bedecktem Cu (100) in 1 mM HCl — •Jürgen Scherer, Markus Vogt, Olaf Magnussen und Jürgen Behm — Abt. Oberflächenchemie und Katalyse, Universität Ulm, D-89069 Ulm

In-situ STM und ergänzende elektrochemische Messungen zur Struktur und zum Korrosionsverhalten von alkanthiol-bedeckten Cu (100) - Oberflächen werden vorgestellt. Die Präparation der Oktanthiol- und Hexadekanthiol- Monoschichten erfolgte durch Adsorption aus ethanolischer Lösung. Im Potentialbereich zwischen -0.16 und -0.26 V wurde in HCl eine wohldefinierte Oberflächenmorphologie beobachtet, in der die Cu-Terrassen, die auf thiol-freiem Cu (100) atomar glatt sind, monoatomar hohe Cu-Inseln und Löcher aufweisen. In diesem Potentialbereich nimmt die Oberflächenrauhigkeit in Lösung durch die Bildung weiterer Cu-Inseln und Löcher mit der Zeit zu. Die Cu-Korrosion in HCl ist in Gegenwart der Thiolschicht deutlich inhibiert. Dies zeigt sich in einer anodischen Verschiebung des Korrosionspotentials und einer Änderung des Korrosionsmechanismus. Während die Cu- Auflösung der thiol-freien Elektrode über einen Stufenfluß- Ätzmechanismus verläuft, kommt es auf der thiol-bedeckten Oberfläche zunächst zur Bildung vieler kleiner Löcher, so daß die Oberflächenrauhigkeit zunimmt. Bei anodischeren Potentialen oder längeren Auflösungszeiten entwickeln sich daraus wenige, große Löcher, in denen die inhibierende Thiolschicht anscheinend völlig entfernt ist.