Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 10: Postersitzung I: Ladungseffekte in Einelektronensystemen (1-6), Niedrigdimensionale Systeme (7-17), Transporteigenschaften und Pinning in HTSL (18-30), Symmetrie des Ordnungsparameters in HTSL (31-36), Korrelierte Elektronen: Theorie (37-79)
TT 10.1: Poster
Dienstag, 24. März 1998, 09:30–13:00, A
Thermische, elektrische und magnetische Eigenschaften von nanostrukturierten Tunnelkontakten — •H. Vinzelberg1, M. Bertram1, I. Mönch1, J. Schumann1, H. Brückl1,2, A. Gladun3 und G. Reiss1,2 — 1Institut für Festkörper-und Werkstofforschung Dresden, Postfach 270016, D-01171 Dresden — 2Universität Bielefeld, Fakultät Physik, Universitätsstr. 25 D-33615 Bielefeld — 3Technische Universität Dresden, D-01062 Dresden
Tunnelkontakte mit lateralen Abmessungen im Nanometerbereich wurden durch Schrägbedampfung und in-situ Oxidation zur Untersuchung von Coulomblockadeeffekten und Einzelelektroniktransistoren hergestellt, wobei zur Erzeugung der erforderlichen Masken die Photo- und Elektronenstrahllithographie eingesetzt wird. AFM- und REM-Abbildungen dienten zur Strukturcharakterisierung. Realisiert wurden Al/Al-Oxid/Al-Tunnelkontakte mit Kontaktflächen kleiner 100 nm·100 nm. An Doppelkontakten mit einer Gate-Elektrode konnte der Einzelelektronentransistoreffekt für T<1 K nachgewiesen werden. Tunnelkontaktketten, deren Ladungsenergie kleiner kT ist, können nach Pekola als Thermometer eingesetzt werden. Die differentielle Leitfähigkeit von bis zu 12 in Reihe geschalteten Kontakten wurde im Temperaturbereich von 50 mK bis 25 K gemessen und die Eignung der Ketten zur Temperaturmessung getestet. Die Schattenbedampfungstechnik konnte auch erfolgreich für die Präparation von Tunnelkontakten mit magnetischen Materialien zur Untersuchung von Spinblockadeeffekten eingesetzt werden.