Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 10: Postersitzung I: Ladungseffekte in Einelektronensystemen (1-6), Niedrigdimensionale Systeme (7-17), Transporteigenschaften und Pinning in HTSL (18-30), Symmetrie des Ordnungsparameters in HTSL (31-36), Korrelierte Elektronen: Theorie (37-79)
TT 10.14: Poster
Dienstag, 24. März 1998, 09:30–13:00, A
Herstellung und Charakterisierung von MBE gewachsenen InAs-HEMT-Strukturen — •A. Richter, O. Anhuth, Ch. Heyn, T. Matsuyama, W. Hansen und U. Merkt — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Jungiusstraße 11, D-20355 Hamburg
Die Verwendung von InAs in III-V-Halbleiterheterostrukturen gewinnt zunehmend an Bedeutung. Dieses liegt nicht nur an den hervorragenden optischen Bauelementen, wie sie im InAlAs/InGaAs Materialsystem realisiert werden können. Auch bei der Untersuchung des supraleitenden Proximity-Effektes in Supraleiter/Halbleiter-Kontakten nehmen InAs-Heterostrukturen eine ausgezeichnete Rolle ein [1]. Es wurden verschiedene InAs-HEMT-Strukturen auf (100)GaAs-Substraten mittels MBE hergestellt. Zur Gitteranpassung der Strukturen an GaAs wurde ein metamorpher InAlGaAs-Buffer verwendet [2]. Magnetotransportmessungen zeigen Beweglichkeiten von bis zu µ≈ 30000 cm2/(Vs) bei Ladungsträgerdichten von n≈ 7· 1011 /cm2 und effektiven Massen von m*≈ 0.04me. Diese Werte korrelieren gut mit den Ergebnissen aus Ferninfrarotspektroskopie-Untersuchungen. Erste Versuche zur Herstellung von Nb/InAs-HEMT/Nb Josephson-Kontakten werden derzeit unternommen.
[1] H.Takayanagi, T.Akazaki, J.Nitta, Phys. Rev. Lett. 75(19), 3533 (1995)
[2] M.Haupt, K.Köhler et al., Appl. Phys. Lett. 69(3), 412 (1996)