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Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 15: Postersitzung II: Massive HTSL (1-12), Supraleitung: Anwendungen (13-34), Josephsonkontakte und Kryoelektronik (35-75), Elektronenstruktur und Phononen in HTSL (76-79), Schwere Fermionen, Kondo-Systeme (80-99)

TT 15.99: Poster

Mittwoch, 25. März 1998, 15:00–18:30, D

Abnahme der Coulomb-Luecke in kompensiertem Si:(P,B) in hohen Magnetfeldern — •M. Iqbal1, J. Galibert1, J. Léotin1, S. Askénazy1, S. Waffenschmidt2, J. Wosnitza2 und H. v. Löhneysen21Laboratoire de Physique de la Matiere Condensee et Service National des Champs Magnetiques Pulses, F-31077 Toulouse, France — 2Physikalisches Institut, Universität Karlsruhe, D-76128 Karlsruhe

Der Magnetwiderstand von stark dotiertem isolierendem Si:(P,B) (n-Typ) wurde in Magnetfeldern B bis zu 35 Tesla im Temperaturbereich 1.6 bis 300 K gemessen. Fuer B = 0 zeigen die Proben (Ladungstraegerkonzentration 1.5, 2.5 und 2.95· 1018cm−3, Kompensationsverhaeltnis 0.65) Efros-Shklovskii-variable-range-hopping (ES-VRH), ρ = ρ0 exp (T0 /T)p mit p = 1/2. Dies Verhalten bleibt qualitativ bis zu Feldern von 8 T erhalten, wie detaillierte Messungen an der Probe mit 2.95· 1018cm−3 zeigen. Die beobachtete Feldabhaengigkeit ln ρ(B) = KsB2 stimmt mit den ES-Vorhersagen ueberein, mit KsT−3/2. In hohen Feldern (B > 25 T) nimmt p jedoch den Wert 1/3 an, wie fuer Mott-VRH mit einer endlichen Zustandsdichte an der Fermikante EF erwartet. Dies ueberraschende Ergebnis, das schon frueher fuer Ge:As gefunden wurde [1], deutet darauf hin, daß die Coulomb-Energieluecke bei EF in hohen Magnetfeldern nicht wirksam ist.

[1] L. Shlimak et al., Phys. Rev. Lett. 68, 3076 (1992)

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