Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 21: Postersitzung III: Spin-Peierls-Systeme, Metall-Isolator-Übergang, Lokalisierung; SL: Theorie; Quantenflüssigkeiten und -kristalle; Amorphe Materialien, Tunnelsysteme; Borcarbide, Fullerene, konventionelle SL; SL dünner Filme; Experimentiertechniken
TT 21.91: Poster
Donnerstag, 26. März 1998, 15:00–18:30, D
Sputtern von HTSL–Dünnfilmen auf Si–Substrate — •J.C. Martinez, S. Ingebrandt, M. Mauer und H. Adrian — Institut für Physik, Johannes Gutenberg–Universität, 55099 Mainz
Eine direkte Deposition von dünnen HTSL–Filmen auf Si-Substrate ist wegen der starken Interdiffusion von Si in YBa2Cu3O7−δ nicht möglich, da die supraleitenden Eigenschaften degradiert werden [1]. Dies kann durch die Verwendung von Yttrium stabilisiertem Zirkonoxid (YSZ) als Bufferlayer vermieden werden. Bis heute wurden die meisten der YSZ/YBCO– Bilayer durch pulsed laser deposition [2] oder durch electron beam evaporation [3] hergestellt. Aufgrund der Möglichkeit einer leichteren industriellen Anwendung haben wir als Depositionsprozeß RF-Magnetron-Sputtern gewählt. Die Bufferlayer wurden mittels Röntgendiffraktometrie in Bragg-Brentano-Geometrie untersucht. Es zeigt sich eine sehr starke Abhängigkeit der FWHM der c–Achsen Rockingkurven von der Filmdicke, wobei die Filmdicken zum einen durch Kleinwinkel–Röntgenbeugung und zum andern durch optische Reflektionspektroskopie gemessen wurden. Es wurde außerdem noch eine dünne Interlayerschicht nachgewiesen, die schon mehrere Gruppen als SiO2–Schicht identifiziert haben.
[1] T.Venkatesan et al., Appl. Phys. Lett. 53, 243 (1988)
[2] D.K. Fork et al., Appl. Phys. Lett. 57, 1161 (1990)
[3] H.Behner et al., Surf. Interf. Anal. 18, 685 (1992)