Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 23: Amorphe Systeme und Defekte
TT 23.3: Vortrag
Freitag, 27. März 1998, 10:45–11:00, H 6
Natur der Tunnelsysteme in a-As2S3 — •J. Honolka, G. Kasper und S. Hunklinger — Institut für Angewandte Physik, Universität Heidelberg, Albert Ueberle-Str. 3–5, 69120 Heidelberg
Amorphe Halbleiter zeigen eine Reihe von Änderungen ihrer physikalischen Eigenschaften bei Belichtung mit Energien, die etwa der Bandlücke entsprechen. Wir haben Änderungen der Schallgeschwindigkeit und der Schallabsorption von Oberflächenwellen in dünnen a-As2S3-Proben gemessen, nachdem der Film bei tiefen Temperaturen mit monochromatischem Licht von 488 nm beleuchtet wurde, die erst durch Tempern knapp unterhalb der Glasübergangstemperatur wieder vollkommen verschwinden. Die Ergebnisse werden im Rahmen des Modells weicher Potentiale, einer Verallgemeinerung des bekannten Tunnelmodells, diskutiert. Einfachmulden werden durch die Belichtung zu Doppelmulden. Als mikroskopisches Modell favorisieren wir die Verdrillung zweier über ein gemeinsames Schwefelatom gekoppelter AsS3-Pyramiden.