Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm
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TT: Tiefe Temperaturen
TT 24: Metall-Isolator-Übergang und Spin-Peierls-Systeme
TT 24.4: Vortrag
Freitag, 27. März 1998, 10:15–10:30, H 19
Metall-Isolator-Übergang ultradünner Antimon-Schichten — •B. A. Hermann1, P. Haier2, I. Didschuns1, N. Esser2, W. Rich-ter2 und K. Lüders1 — 1Institut für Experimentalphysik, FU Berlin, Arnimallee 14, 14195 Berlin — 2Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin
Der Widerstandsverlauf dünner Sb-Schichten wird bei tiefen Temperaturen durch schwache Antilokalisierung und Elektron-Elektron-Wechsel-wirkung beeinflußt. Für Schichtdicken kleiner als ca. 50 Atomlagen (13.5 nm) verhält sich Sb wie ein zwei-dimensionales elektronisches System in bezug auf die genannten Effekte. Mit abnehmender Schichtdicke wird ein Metall-Isolator-Übergang beobachtet. Die ultradünnen Schichten (8 Atomlagen, 2.16 nm) sind isolierend und zeigen möglicherweise ÏncipientAnderson-Lokalisierung. Die Sb-Schichten wurden im UHV bei Raumtemperatur auf die (110)-Fläche von GaAs aufgedampft, wobei die ultradün-nen Schichten einem zusätzlichen Anlaßprozeß unterzogen wurden.