Regensburg 1998 – wissenschaftliches Programm

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TT: Tiefe Temperaturen

TT 5: Pinning

TT 5.3: Vortrag

Montag, 23. März 1998, 16:00–16:15, H 18

Anisotrope Flußlinienverankerung in YBa₂Cu₃O_7−δ-Filmen — •Ch. Jooß, R. Warthmann und H. Kronmüller — Max-Planck-Institut für Metallforschung, Heisenbergstr.1 , D-70569 Stuttgart

Epitaktische YBaCuO-Schichten weisen im Vergleich zu Einkristallen eine um mehrere Größenordnungen größere kritische Stromdichte auf. Dabei ist bis heute nicht verstanden, welcher Verankerungsmechanismus und welche Defektart dafür maßgebend sind. Das Filmwachstum auf Substratoberflächen mit regelmäßigen atomaren Stufen ermöglicht eine kontrollierte Erzeugung von planaren Defekten [1]. Dies erlaubt der Herstellung von Modellsystemen für die Untersuchung der Flußlinienverankerung. Die magnetooptischen Untersuchungen zeigen [1,2], daß außerordentlich hohe Haftkräfte transversal zu den Defektebenen auftreten, die eine longitudinale kritische Stromdichten von bis zu j_c,L(5 K) = 8 · 10¹¹ A/m² und j_c,L(77 K) = 1.5 · 10¹¹ A/m² ermöglichen. In Abhängigkeit von der strukturellen Weite der Antiphasengrenzen bilden sie gleichzeitig Ebenen reduzierter Haftkraft longitudinal zur Defektebene. Damit stellen sie Ebenen bevorzugten Eindringens von Flußlinien dar. Wir stellen die Winkelabhängigkeit von j_c relativ zur Defektebene dar. Darüber hinaus werden die zugrundeliegenden Haftmechanismen unter Berücksichtung von s- und d-Wellenpaarung aus der anisotropen Temperaturabhängigkeit von j_c bestimmt. [1] T. Haage et al. Phys. Rev. B 56, 8404 (1997). [2] Ch. Jooß et al. Physica C 282-287, 2311 (1997).