Heidelberg 1999 – wissenschaftliches Programm

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T: Teilchenphysik

T 109: Halbleiterdetektoren 1

T 109.1: Vortrag

Montag, 15. März 1999, 14:00–14:15, MA2

Status der Technologie von voll integrierten GaAs Streifendetektoren — •Costas Rente, W. Braunschweig, J. Breibach, Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, Th. Mäsing, Ch. Röper, and A. Siemes — I. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, Sommerfeldstr. 28, 52056 Aachen

GaAs Detektoren zeichnen sich durch eine hohe Strahlenhärte bei Raumtemperatur gegenüber Gammastrahlen aus. Im VLQ-Detektor am H1 Experiment werden Streifendetektoren aus diesem Material unter extrem kleinen Winkeln zum Elektronenstrahl erstmalig in einem Hochenergiephysikexperiment als Spurdetektor eingesetzt. Die aktive Fläche dieser Detektoren wird 5 × 4 cm² betragen bei einem Pitch von 62 µ m . Aufgrund der hohen Kanaldichte werden die Widerstände und Koppelkondenstoren auf dem Detektorchip integriert. Dabei werden für die Widerstände Schichten aus Cermet verwendet. Der Status dieser Entwicklung und die Eigenschaften derartiger Detektoren werden vorgestellt.