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T: Teilchenphysik

T 109: Halbleiterdetektoren 1

T 109.2: Talk

Monday, March 15, 1999, 14:15–14:30, MA2

Prozeßoptimierung von Rückseitenkontakten für GaAs - Detektoren — •Thomas Mäsing, W. Braunschweig, J. Breibach, Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, C. Rente, Ch. Röper und A. Siemes — I. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, 52056 Aachen

Um möglichst hohe Ladungsausbeuten zu erzielen müssen an GaAs Detektoren aus LEC Material hohe Spannungen angelegt werden. Für die Spannungsfestigkeit kommt dabei die entscheidende Bedeutung dem Rückseitenkontakt zu. Die bisher verwendete Technologie (Ti/Pt/Au-Schottky-Kontakte) läßt bei 250µm dicken Detektoren nur Spannungen bis zu 250V zu. Der dann eintretende Stromanstieg läßt einen Detektorbetrieb nicht mehr zu. Durch Einführung einer implantierten Schicht und eines Ni/AuGe-Ohmschen-Kontaktes läßt sich dieser Stromanstieg kontrollieren und ein Detektorbetrieb wird auch bei höheren Spannungen möglich. Besonders untersucht wurde der Einfluss der Oberflächenbeschaffenheit und der Prozeßtemperatur auf das Verhalten der Kontakte und die Prozeßausbeute.