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T: Teilchenphysik

T 109: Halbleiterdetektoren 1

T 109.4: Talk

Monday, March 15, 1999, 14:45–15:00, MA2

Test von GaAs Dioden und Mikrostreifen Detektoren mit einem Infrarotlaser — •W.H. Gu, J. Breibach, St. König, K. Lübelsmeyer, Th. Mäsing, D. Pandoulas, R. Siedling und B. Wittmer — I. Physikalisches Institut RWTH-Aachen, 52056 Aachen

Die Parameter eines Lasertestsystems für GaAs Detektoren wurden untersucht. Dabei wurde der Absorptionskoeffizient von GaAs als Funktion der Wellenlänge gemessen. Mit einem Infrarotlaser von 1083 nm bzw. 1064 nm Wellenlänge wurden GaAs Dioden und Streifen-Detektoren bestrahlt. Messungen von Ladungsausbeute in Abhängigkeit von Versorgungsspannung und Laserintensität werden präsentiert. Die Planung eines Systems für Labortests von Pixel Detektoren wird diskutiert.