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T: Teilchenphysik

T 209: Halbleiterdetektoren 2

T 209.4: Vortrag

Montag, 15. März 1999, 17:15–17:30, MA2

Die CDF Silizium Sensoren, prozessiert auf 6” Wafern — •Frank Hartmann, T. Müller, A. Heiss, H. Wenzel und M. Schilling — Institut für Experimentelle Kernphysik, Universität Karlsruhe, Engesserstr. 7, 76128 Karlsruhe

Siliziumstreifensensoren werden auf runden Siliziumscheiben prozessiert und danach auf die gewünschten Formen und Größen zugeschnitten. Um den Aufwand und die Kosten, einen “großen” Sensor herzustellen, zu minimieren, wird ein möglichst großes Substart als Basismaterial benutzt. Bis heute lag die Grenze der technischen Verarbeitbarkeit bei 4 Zoll großen Siliziumscheiben. Die Hälfte der Sensoren für CDF werden jedoch von Micron Semiconductors aus 6 Zoll Siliziumscheiben hergestellt. Wir präsentieren die Probleme und Lösungen, welche sich durch die neue Technologie ergeben haben.