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T: Teilchenphysik
T 309: Halbleiterdetektoren 3
T 309.2: Talk
Tuesday, March 16, 1999, 14:25–14:40, MA2
Untersuchung von ionisationsinduzierten Oberflächeneffekten bei Siliziumstrukturen in Abhängigkeit verschiedener Bestrahlungsparameter — •C. Lichau, C. Gößling, R. Wunstorf und J. Wüstenfeld — Universität Dortmund, Physik E IV
In vielen Bereichen der Physik werden heutzutage Halbleiterstrukturen auf Siliziumbasis eingesetzt. Sind diese hochenergetischen Teilchen ausgesetzt, tritt neben Bulkschädigung auch eine Schädigung des Oxids und der Si-SiO2-Grenzfläche, welche zusammen als Oberfläche bezeichnet werden, auf. Um diese Oberflächenschädigung parametrisieren zu können, wurden an der Universität Dortmund sogenannte “Gate Controlled Diodes” entworfen. Mit ihnen lassen sich wichtige Parameter messen, wie z.B. der Grenzflächengenerationsstrom Iox, welcher proportional zur Dichte der Grenzflächengenerationszentren ist. Mit Hilfe einer Elektronenbestrahlungsanlage werden die Gate Controlled Diodes in Abhängigkeit von Parametern wie Temperatur und angelegter Spannung mit niederenergetischen Elektronen bestrahlt, so das ausschlieslich Oberflächenschädigung untersucht werden kann. Die Mesergebnisse und die daraus gewonnenen Erkenntnisse werden vorgestellt und diskutiert. Erste Messungen haben bereits gezeigt, das die Gate Controlled Diodes sich sehr gut zur Charakterisierung der Oberflächeneffekte eignen.