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T: Teilchenphysik

T 309: Halbleiterdetektoren 3

T 309.3: Vortrag

Dienstag, 16. März 1999, 14:40–14:55, MA2

Entwicklung strahlenharter Siliziumdetektoren – Neue Materialien — •M. Moll, E. Fretwurst, M. Kuhnke und G. Lindström — II.Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg, Luruper Chaussee 149, D-22761 Hamburg

In zukünftigen Experimenten der Hochenergiephysik werden Siliziumdetektoren beim Einsatz als Vertex- und Spurendetektoren einer derart hohen Strahlenbelastung ausgesetzt sein, daß ihre Lebensdauer in unmittelbarer Umgebung des Wechselwirkungspunktes stark begrenzt und einen Austausch von Detektorkomponenten unumgänglich sein wird. Unsere Arbeitsgruppe befaßt sich daher im Rahmen der ROSE (CERN - RD48) - Kollaboration [1] mit der Entwicklung strahlenhärter Siliziumdetektoren. Durch eine gezielte Erhöhung der Sauerstoffkonzentration im Silizium ist es gelungen, die Strahlenhärte von Detektoren wesentlich zu erhöhen. Es werden Bestrahlungsexperimente vorgestellt, die insbesondere für die Bestrahlung mit hochenergetischen Protonen eine wesentliche Verbesserung der Strahlungshärte gegenüber den heute im Einsatz befindlichen hochreinen Float Zone Silizium zeigen. Die unterschiedlichen Möglichkeiten der Sauerstoffanreicherung von detektorfähigem Silizium werden erörtert.

[1] ROSE - R & d On Silicon for future Experiments,
http://www.brunel.ac.uk/research/rose/