Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

T: Teilchenphysik

T 309: Halbleiterdetektoren 3

T 309.7: Talk

Tuesday, March 16, 1999, 15:40–15:55, MA2

Strahlungsh"artestudien an Pixeldetektor-Auslesechips in Honeywell RICMOS IV Technologie — •W. Karpinski, J. Breibach, K. L"ubelsmeyer, and G. Pierschel — I. Physikalisches Institut RWTH, 52056 Aachen

Die Eignung der Honeywell SOI CMOS Technologie des RICMOS IV Prozesses [1]wird f"ur die Auslese der Pixeldetektoren im zuk"unftigen CMS-Experiment untersucht. Ein kompletter Auslesechip f"ur 22×32 Pixel wurde in dieser Technologie implementiert Hierbei handelt es sich um eine modifizierte Version des PSI31 Chips [2], der in DMILL-Technologie hergestellt wurde. Es werden DC-, AC- und Rauschparameter der Transistoren vor und nach der Bestrahlung mit bis zu 50Mrad γ-Strahlung pr"asentiert. Ferner werden die Schaltungsarchitektur, sowie der Vergleich beider Technologien im Hinblick auf die Anwendung als Pixelsausleseelektronik, diskutiert.

[1] W.Karpinski et al., Pixel Readout Electronics in Honeywell SOI CMOS, to be published in the proceedings of the fourth Workshop on Electronics for LHC Experiments, Rome 21-25 September 1998

[2] CMS, The Tracker Project Technical Design Report CERN/LHCC 98-6, CMS TDR 5, 15 April 1998