Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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AM: Magnetismus

AM 1: Dünne magnetische Schichten und Vielfachschichten, magnetooptische Schichten I

AM 1.3: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 10:15–10:30, F5

Strukturelle Eigenschaften und Tunnelmagnetowiderstand von Co/CoO/Co/H-Si(111) — •M. Bamming, U. May, H. Kittur, M. Fonin, M.  Gierlings, P. Miltényi, U. Korte und G. Güntherodt — 2. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, 52056 Aachen

Mit der naßchemischen Präparation von wasserstoffpassivierten Si(111) Oberflächen ergibt sich die Möglichkeit, ex-situ präparierte, atomar glatte und kontaminationsfreie Si(111)-Substrate direkt nach dem Einschleusen ins UHV zur Schichtdeposition zu nutzen.

Das Wachstum von Co/H-Si(111) wurde als Funktion der Depositionstemperatur mittels RHEED und STM untersucht. Bei erhöhter Substrattemperatur (370 K) wird nach 0.1 ML Co eine fast komplette Aufhebung der kristallinen Fernordnung beobachtet, nach 0.25 ML Co bilden sich geordnete Bereiche doppelter lateraler Periodizität aus, was beides auf Co-Silizidbildung zurückgeführt wird. Deposition von Submonolagen Co bei Raumtemperatur führt auf der unbedeckten H-Si-Oberfläche nicht zu H-Desorption. Die Diffusion von Co-Atomen ist dabei so stark, daß sich Co-Cluster bevorzugt an den Stufenkanten des Substrates anlagern. Die Temperaturabhängigkeit des Wachstums von CoO/Co/H-Si(111) wurde untersucht. Für CoO(50 nm)/Co(5 nm)/H-Si(111) ist eine dreizählige Symmetrie der Oberfläche sowie eine sechszählige magnetische Anisotropie im Co feststellbar. Die Untersuchungen zielen auf die Messung des Tunnelmagnetowiderstands in Co/CoO/Co/H-Si(111) Strukturen.