Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

AM: Magnetismus

AM 13: Magnetowiderstand und Magnetoimpedanz III

AM 13.1: Vortrag

Mittwoch, 24. März 1999, 17:00–17:15, F4

Hoher negativer Magnetowiderstand in der Schichtverbindung GdI₂ — •Reinhard Kremer¹, Kyungsoo Ahn¹, Arndt Simon¹, Claudia Felser² und Ram Seshadri² — ¹MPI für Festkörperforschung, Heisenbergstr. 1, D-70569 Stuttgart — ²Inst. für Anorganische und Analytische Chemie, Johannes Guttenberg Universität Mainz, Becher Weg 24, 55099 Mainz

GdI₂ kristallisiert in einer Schichtstruktur und ordnet unterhalb 290K ferromagnetisch. Die Sättigungsmagnetisierung beträgt 7.3 µ_B. Der elektrische Widerstand zeigt im Bereich des Phasenübergangs eine breite Anomalie, die im Magnetfeld abflacht und zu höheren Temperaturen verschiebt. In Magnetfleder von 7 Tesla erreicht der Magnetowiderstand Werte von fast 70 % im Bereich von Zimmertemperatur. Für kleine Magnetfelder ändert sich der Magnetowiderstand linear mit einer Steigung von etwa 40 %/Tesla. Eine selbstkonsistent im Rahmen der lokalen Spindichtenäherung mit der LMTO-ASA Methode berechnete Bandstruktur belegt schmale, nahezu vollständige polarisierte Gd d-Bänder nahe E_F als Ursache des sehr hohen Magnetowiderstandes.