Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
AM: Magnetismus
AM 7: Dünne magnetische Schichten und Vielfachschichten, magnetooptische Schichten III
AM 7.1: Vortrag
Dienstag, 23. März 1999, 11:30–11:45, F4
Epitaktisches Wachstum von dünnen MnBi-Schichten auf GaAs- und BaF2-Substraten — •D. Menzel, K.-U. Harder, A. Borgschulte und J. Schoenes — Institut für Halbleiterphysik und Optik, Technische Universität Braunschweig, Mendelssohnstraße 3, 38106 Braunschweig
Das Materialsystem MnBi ist aufgrund seiner hohen Kerr-Drehung ein vielversprechender Kandidat für die magneto-optische Datenspeicherung. Es zeichnet sich aus durch eine große, senkrechte magnetokristalline Anisotropie, eine hohe Magnetisierung und eine mit zunehmender Temperatur ansteigende Koerzitivfeldstärke, die bei ca. 550 K ein Maximum erreicht. Dünne epitaktische MnBi-Filme wurden mittels herkömmlicher Molekularstrahlepitaxie im UHV auf GaAs- und BaF2-Substraten aufgewachsen. Das Wachstum von MnBi auf GaAs-Substraten wird durch die Bildung von Bi-Clustern und der Ausbildung einer Mn-Ga-As-Mixtur behindert, was zu einer Entmischung der Schichten führt. Demgegenüber erweist sich die Epitaxie von MnBi auf BaF2-Substraten als unproblematischer. Die epitaktischen MnBi-Filme wurden mit einem SQUID-Magnetometer auf die magnetischen Eigenschaften hin untersucht. Bei den auf BaF2-Substraten gewachsenen Schichten beginnt die Richtung der leichten Magnetisierung unterhalb von ca. 240 K von der Filmnormalen in die Filmebene zu klappen. Bei 150 K liegen die magnetischen Momente schließlich in der Filmebene.