Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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DF: Dielektrische Festkörper

DF 2: Elektrische und optische Eigenschaften II

DF 2.3: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 15:30–15:50, R2

Bestimmung des Tensors der Dielektrischen Funktion von α-Al₂O₃ im Spektralbereich von 30 µm bis 0.27 µm mittels Verallgemeinerter Ellipsometrie — •Jan-David Hecht¹, Mathias Schubert², Craig Herzinger³ und J.A. Woollam³ — ¹Institut für Oberflächenmodifizierung e.V., Permoserstraße 15, D-04303 Leipzig — ²Fakultät für Physik und Geowissenschaften, Halbleiterphysik, Universität Leipzig, Linnestraße 5, D-04103 Leipzig — ³Center for Microelectronic and Optical Materials Research, University Nebraska-Lincoln, NE 68588, U.S.A.

Saphir ist ein häufig verwendetes Substratmaterial für die Dünnschichtabscheidung von Verbindungshalbleitern. Für die optische Analyse der Dünnschichtsysteme ist die genaue Kenntnis der anisotropen Dielektrischen Funktion (DF) sowie der Kristallorientierung der Saphirsubstrate notwendig. Wir verwenden die Verallgemeinerte Ellipsometrie zur präzisen Bestimmung des Tensors der DF beliebig orientierter Saphirsubstrate erstmalig im Spektralbereich von 30 µm bis 0.27 µm. Die Analyse der DF im Bereich der Gitterabsorptionen gestattet die genaue Charakterisierung der infrarot-aktiven Gittermoden. Weiterhin werden der außerordentliche und ordentliche Brechungsindex oberhalb der Reststrahlenbande bis 0.27 µm bestimmt. Das Problem der inkohärenten Überlagerung p- und s-polarisierter Wellenanteile wird berücksichtigt. Die erziehlten Ergebnisse finden Verwendung bei der Analyse optischer Eigenschaften von Gruppe III-Nitrid-Heterostrukturen auf Saphirsubstraten.