Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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DF: Dielektrische Festkörper

DF 4: Nanokristalle, Inhomogene Materialien

DF 4.1: Hauptvortrag

Dienstag, 23. März 1999, 14:30–15:20, R2

Sensitive Materialien in Nanotechnologie für Gassensoren auf der Basis halbleitender Metalloxide — •H. Meixner — Siemens AG, ZT KM 2, Otto Hahn Ring 6, Postfach, 81730 München

Chemische Sensoren besitzen eine stark steigende Bedeutung für Anwendungen in den Bereichen Umweltschutz und Emissionsreduzierung sowie im Bereich Sicherheit und Gesundheit. Im Zuge jüngster Entwicklungsarbeiten der benötigten Materialtechnologie fokussiert sich das Interesse auf nanokristalline Detektionsmaterialien. Bei den Detektionsmaterialien beeinflussen Gaswechselwirkungen an der Oberfläche physikalische Kenngrößen im bulk Material. Zur Steigerung der Sensitivität und Stabilisierung (Signal-Rausch-Abstand) ist es nötig, zu immer größeren Oberfläche/Volumen-Verhältnissen zu gehen. Heutzutage werden bei hohen Temperaturen strukturstabile halbleitende Metalloxide präpariert und eingesetzt, die Kristallgrößen hinab bis zu 10 nm besitzen. Zur Beeinflussung der Oberflächenchemie finden metallische Katalysatoren und oxidische Modifikation mit vergleichbaren Dimensionen Verwendung. In der Zukunft kann es möglich sein, von Anhäufungen derartiger Strukturen wegzugehen und, unter weiterer Elimination von Korngrenzeneinflüssen, einzelne, termodynamisch stabile Partikel zu verwenden.