Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe
DS: Dünne Schichten
DS 10: Schichtabscheidung
DS 10.2: Fachvortrag
Montag, 22. März 1999, 15:45–16:00, H 55
Epitaktische Abscheidung von Ni-Filmen auf Ioneneinkristallen — •K. Thiele, P. Troche, C. Brandt, J. Hoffmann und H.C. Freyhardt — Institut für Materialphysik, Universität Göttingen, Hospitalstraße 3-7, 37073 Göttingen
Hochtexturierte Ni-Folien (RABiTS) spielen eine wichtige Rolle als Substrate für die Herstellung von hochtemperatursupraleitenden (HTSL) Bandleitern. Für grundlegende Untersuchungen des epitaktischen Wachstums von Diffusionsbarrieren und HTSL-Filmen auf diesen Substraten können Ni-Einkristalle als Modellsubstrate verwendet werden. Diese lassen sich mit konventionellen Kristallzuchtverfahren aber nur schwer herstellen. Deshalb wurde die epitaktische Abscheidung von Ni-Filmen (bis 10 µm Dicke) auf Ioneneinkristallen untersucht.
Durch Magnetronsputtern wurden bei verschiedenen Substrattemperaturen (zwischen 200∘C und 500∘C) auf KCl-Einkristallen (KCl-EK), mit SrCl2 dotiertem KCl-EK und NaCl-EK Ni-Filme hergestellt. Mit Hilfe von Röntgendiffraktometrie wurde die Textur untersucht. Epitaktisches Wachstum wurde auf allen Substraten bei Temperaturen bis 400∘C beobachtet. Zwischen den Ioneneinkristallen und dem Ni-Film besteht eine „cube-on-cube“ Epitaxiebeziehung. Die besten Ergebnisse wurden auf KCl-EK erzielt. Die Halbwertsbreiten der in-plane- und out-of-plane- Textur sind besser 1∘. Die Ni-Filme lassen sich leicht ablösen und sind gut handhabbar. Im nächsten Schritt sollen einzelne Korngrenzen im Ni durch epitaktisches Wachstum auf KCl-Bikristallen hergestellt werden.