Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 12: Laserverfahren II

DS 12.2: Fachvortrag

Montag, 22. März 1999, 18:00–18:15, H 55

Substrateinfluß bei der SiC- und AlN-Schichtabscheidung mittels Laserablation — •Jens Meinschien, Fritz Falk und Herbert Stafast — IPHT Jena, Helmholtzweg 4, 07743 Jena

Mit einem KrF-Excimer-Laser wurde SiC bzw. AlN ablatiert und auf verschiedenen Substraten bei Temperaturen von 700-1200 C mit durchschnittlichen Abscheideraten von ca. 20 nm/min abgeschieden. Die so hergestellten Schichten mit Dicken von bis zu 1000 nm wurden mittels FTIR- und Raman-Spektroskopie, XRD, TEM, REM, EDX, RBS, AES und AFM untersucht. Bei entsprechender Einstellung der Abscheideparameter und Auswahl der Substrate können Schichteigenschaften gezielt variiert werden. Bei der SiC-Abscheidung auf oxidischen Substraten ( SiO₂, Al₂O₃ bzw. ZrO₂ ) erhält man kohlenstoffreiche Schichten mit stark gestörter Kristallstruktur, auf Si orientierte polykristalline SiC-Schichten und auf inerten Materialien wie SiC bzw. AlN muß man zur Abscheidung von stöchiometrischem SiC zusätzlich Si anbieten. Orientierte kristalline AlN-Schichten können auf Si-, SiO₂- und Al₂O₃-Substraten abgeschieden werden. Durch den Kristallschnitt der Substrate kann die Orientierung der AlN-Schichten eingestellt werden, z.B. AlN(00.1) auf Al₂O₃(00.1) oder AlN(11.0) auf Al₂O₃(10.2). Besonders AlN(11.0)-Schichten scheinen für SAW-Anwendungen geeignet.