Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 2: Ionenimplantation II

DS 2.4: Fachvortrag

Montag, 22. März 1999, 11:45–12:00, PC 7

Retention und Emission von Stickstoff während der Implantation niederenergetischer Stickstoffionen in AISI 316 SS — •S. Parascandola, O. Kruse und W. Möller — Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, Forschungszentrum Rossendorf

Die Implantation niederenergetischer Stickstoffionen kann die Lebensdauer und die Gebrauchseigenschaften von AISI 316 SS (vergleichbar mit V2A) erheblich verbessern. Für eine optimierte Behandlung ist ein Verständnis der Retention und der Emission des Stickstoffs erforderlich. Ein in situ Experiment ist aufgebaut worden, das Stickstoffimplantation mit zeit– und tiefenaufgelöster Elementanalyse verbindet und somit die experimentelle Bestimmung der zeitabhängigen Größen Retention, Emission und Oberflächenkonzentration erlaubt. Kernreaktionsanalytik, Elektronenmikroskopie und Röntgenbeugung liefern weitere transportrelevante Informationen. Physikalische Transportmodelle, die implantations– und diffusionskontrollierte Prozesse, wie präferentielle Zerstäubung, Desorption, Trapping und Detrapping berücksichtigen, werden anhand der experimentellen Ergebnisse getestet.