Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 29: Elektrische Eigenschaften
DS 29.4: Fachvortrag
Donnerstag, 25. März 1999, 14:45–15:00, PC 7
Thermisch induzierter Halbleiter-Metall Übergang in VO2 — •Dirk Meister, Wolfgang Burkhardt, Thomas Christmann und Bruno K. Meyer — I. Physikalisches Institut, Justus-Liebig-Universität, Gießen
Vanadiumdioxid zeigt einen Halbleiter-Metall Übergang bei einer Temperatur von ca. 68 0C. Dieser Übergang wird durch einen Phasenübergang von einer tetragonalen (Hochtemperatur, Metall) zu einer monoklinen (Niedertemperatur, HL) Kristallstruktur begleitet. Bisher gibt es zum elektronischen Transport keine systematischen Untersuchungen. Aus temperaturabhängigen Hall-Effekt Messungen können wir zeigen, daß sich die Trägerdichte n diskontinuierlich am Phasenübergang um bis zu drei Größenordnungen erhöht (Hubbard-Mott Übergang), wobei n dann ca. um den Faktor 20 kleiner als die Anzahl der Vanadium Plätze ist. In kodotierten Filmen kann die Übergangstemperatur bis auf 20 0C gesenkt werden, wobei die elektrischen Charakteristiken erhalten bleiben.