Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.11: Poster

Dienstag, 23. März 1999, 09:30–17:30, Aula

FTIR in-situ-Diagnostik des c-BN Wachstums auf Silizium und Hartmetall — •P. Scheible, L. Ulrich und A. Lunk — Institut für Plasmaforschung, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 31, D-70569 Stuttgart;

Das Schichtwachstum von kubischem Bornitrid (c-BN) auf Silizium und Hartmetall wurde in-situ mit Hilfe der FTIR-Reflexionsspektroskopie in s- und p-Polarisation diagnostiziert. Die maximal mögliche Zeitauflösung liegt bei 10 Sekunden. Die Schichtabscheidung erfolgte im Hohlkathodenbogenverdampfer. Die Beschichtungsparameter wurden so gewählt, daß bis auf die Interfaceschicht zum Substrat nahezu phasenreines c-BN aufwuchs. Neben der in-situ Diagnostik wurden die Schichteigenschaften ex-situ mittels ERD, RBS, AFM, XRD und FTIR (in Transmission bzw. Reflexion) untersucht. Um die FTIR-Spektren quantitativ auswerten zu können, wurden sie mit Hilfe der Software WVASE32^TM simuliert. Die Proportionalität der Frequenz der Gitterschwingungen und der mechanischen Spannungen der Schichten wird dazu benutzt, die Entwicklung der Spannungen während des Schichtwachstums zu beobachten. Die Ergebnisse der in-situ und ex-situ Diagnostiken werden vorgestellt und soweit möglich miteinander verglichen.