Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.21: Poster

Dienstag, 23. März 1999, 09:30–17:30, Aula

Herstellung von Metall / Silizium Multischichten mittels Plasma-Enhanced MOCVD — •Frank Hamelmann¹, G. Haindl¹, J. Hartwich¹, A. Klipp², E. Majkova¹, U. Kleineberg¹, P. Jutzi² und U. Heinzmann¹ — ¹Universität Bielefeld, Fakultät für Physik, Universitätsstr. 25, 33615 Bielefeld — ²Universität Bielefeld, Fakultät für Chemie, Universitätsstr. 25, 33615 Bielefeld

Molybdän / Silizium bzw. Wolfram / Silizium Multischichten mit Einzelschichtdicken von wenigen Nanometern wurden, ausgehend von metallorganischen bzw. siliziumorganischen Quellverbindungen, mit dem MOCVD Verfahren hergestellt. Durch Verwendung eines Remote-Plasmas konnten die benötigten Substrattemperaturen auf unter 200^∘C reduziert werden, eine wichtige Voraussetzung für glatte Grenzflächen. Schichtdicke und Grenzflächeneigenschaften werden durch eine in situ Röntgenreflektivitätsmessung kontrolliert. Die so hergestellten Multischichten werden röntgenoptisch, sowie mittels Sputter-Augerelektronenspektroskopie (AES) und Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) charakterisiert.