Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 33: Postersitzung
DS 33.31: Poster
Dienstag, 23. März 1999, 09:30–17:30, Aula
Optimierung der Reflexionsschicht in optischen Datenspeichern — •H.-W. Wöltgens1, I. Friedrich2, M. Wuttig1 und W. Theiss1 — 1I Physikalisches Institut IA, RWTH-Aachen — 2Institut für Grenflächenforschung und Vakuumphysik, Forschungszentrum Jülich GmbH.
Die ständige Verbesserung optischer Datenspeicher stellt in zunehmendem Maße höhere Anforderungen an die metallische Reflexionsschicht unter der aktiven Schicht. Ziel ist es Schichten einzusetzen, die ein möglichst hohes Reflexionsvermögen besitzen, thermisch stabil sind und zudem eine maßgeschneiderte Wärmeleitfähigkeit haben. Wir haben solche Schichten auf der Basis gesputterter Al-Legierungen realisiert. Um die Wärmeleitfähigkeit gezielt zu modifizieren, wurden Übergangsmetalle wie Titan und Chrom bis zu 15 At-% dazulegiert.
Die Schichten wurden sowohl optisch (Spektroskopie), als auch elektrisch (van der Pauw-Methode) charakterisiert. Während das Reflexionsvermögen bei 830nm unabhängig von der Konzentration von Cr bzw. Ti ist, steigt die Leitfähigkeit im untersuchten Bereich linear an. Temperaturabhängige van der Pauw-Messungen zeigen, daß Al-Ti-Schichten bis 200oC, Al-Cr-Schichten dagegen bis 300oC thermisch stabil sind.