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DS: Dünne Schichten
DS 33: Postersitzung
DS 33.35: Poster
Tuesday, March 23, 1999, 09:30–17:30, Aula
EELS und XPS-Untersuchungen an Ga1−xAlxN (0 ≤ x ≤ 1) — •W. Niessner, I. Österreicher, S. Fischer, D.M. Hofmann und B.K. Meyer — Justus-Liebig-Universität, I. Physikalisches Institut, Heinrich-Buff-Ring 16, D-35392 Giessen
Epitaktische GaN, AlN und Ga1−xAlxN-Schichten wurden mit Photoelektronen-Spektrometrie (XPS, UPS) und Elektronen-Energieverlust-Spektroskopie (EELS) untersucht. XPS erlaubt die quantitative Analyse der Ga/Al-Zusammensetzung. Die Entwicklung der Bandlücke und der Leitungsbänder über die Komposition wurde durch die Spektroskopie am Ga 3d, bzw. Al 2p-Übergang bestimmt. Die Ergebnisse werden mit strukturellen und optischen Daten verglichen.