Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 33: Postersitzung
DS 33.7: Poster
Dienstag, 23. März 1999, 09:30–17:30, Aula
Untersuchung plasmagestützt abgeschiedener ITO-Schichten mittels GIXR und GIXRD — •Marion Quaas1, Hartmut Steffen2 und Harm Wulff1 — 1EMAU Greifswald, Institut für Chemie, Soldtmannstr. 23, 17489 Greifswald — 2EMAU Greifswald, Institut für Physik, Domstr. 10, 17489 Greifswald
Am Beispiel dünner ITO-Schichten wird der Einfluß der Abscheidebedingungen beim DC-Magnetron sputtering ( Target In/Sn 90:10) auf Schichteigenschaften untersucht. Dazu wurden Schichten bei verschiedenen Sauerstoffpart ialdrücken sowie unterschiedlichen Substratvorspannungen abgeschieden. Mit steigendem O2-Fluß ände rn sich Struktur und Zusammensetzung in den Schichten von kristallinem metallischen In/Sn hin zu amorphem Indiu m-Zinn-Oxid. Die Abscheiderate (nm/s) verringert sich mit steigendem O2-Partialdruck. Gleichzeitig nimmt d ie Filmdichte zu. Sowohl GIXR- als auch GIXRD-Messungen zeigen, daß der Sauerstoff die Keimbildung bzw. das Kristallwachstum beeinflußt. Der Einfluß der Substratvorspannung auf den Schichtwachstumsprozeß wi rd für ITO untersucht. Abscheiderate und Schichtdichte zeigen in Abhängigkeit vom O2-Fluß ein der Abscheidung ohne Substratvorspannung qualitativ ähnliches Verhalten. Die Biasspannung verursacht aber ein Ans teigen der Abscheideraten und eine Abnahme der Dichten.