Münster 1999 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 5: Harte Schichten I
DS 5.1: Fachvortrag
Montag, 22. März 1999, 16:45–17:00, PC 7
In-situ Untersuchung des Wachstums von c-BN Schichten mit spektroskopischer Ellipsometrie im mittleren IR — •P. Scheible, L. Ulrich und A. Lunk — Institut für Plasmaforschung, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 31, D-70569 Stuttgart;
Schichten aus sehr phasenreinem, kubischen Bornitrid (c-BN) wurden im Hohlkathodenbogenverdampfer auf Silizium und auf mit Titannitrid (TiN) beschichtetem Hartmetall abgeschieden. Das Schichtwachstum wurde in-situ mit polarisierter FTIR-Reflexionsspektroskopie beobachtet. Der optische Aufbau entspricht einer Ellipsometrieanordnung mit festem Polarisator und rotierendem Analysator. Für die quantitative Auswertung der Daten wurden die Spektren mit der Software WVASE32TM simuliert. Ziel der Untersuchungen ist es, aus der Frequenz der Gitterschwingungen die mechanischen Spannungen der c-BN Schichten während des Wachstums als Funktion der Beschichtungsparameter zu bestimmen. Diskutiert werden die Ergebnisse der Auswertung von ellipsometrischen Daten und von Reflexionsspektren mit polarisierter IR-Strahlung für die Schichtsysteme c-BN auf Silizium bzw. auf mit TiN beschichtetem Hartmetall.