Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 9: Charakterisierungsverfahren II

DS 9.3: Fachvortrag

Montag, 22. März 1999, 14:30–14:45, H 55

Winkelaufgelöste Streulichtmessung zur Topographiebestimmung von In auf GaAs(001) — •M Bastian, A.M. Frisch, K. Hinrichs, N. Esser und W. Richter — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin

Winkelaufgelöste elastische Lichtstreuung (ARS) wurde zur Untersuchung von Metalladsorbaten auf Halbleiteroberflächen verwendet. Es wurden GaAs(001)-Oberflächen mit In-Bedeckungen verschiedener Dicke mit und ohne Sb als Surfactant im UHV hergestellt. Sie weisen eine präparationsabhängige Morphologie auf, die mit ARS untersucht wurde. Die Proben wurden mit normal zur Oberfläche einfallender Laserstrahlung unterschiedlicher Wellenlänge beleuchtet. Die Intensitätsverteilung des elastisch in den Halbraum gestreuten Lichtes wurde mittels eines Diodenarrays winkelaufgelöst aufgenommen. Sie ist für die verschiedenen Oberflächen sowohl von den In-Inselgrößen als auch von deren Form abhängig. Kohärente Streulichtanteile, die zu entsprechenden Interferenzmustern (den sogenannten „speckles“) führen, deuten beispielsweise auf das Auftreten von Mehrfachstreuprozessen hin, was seinerseits Schlüsse auf die Inselform zuläßt. Aus den ARS-Daten wurden rms-Rauhigkeiten sowie die Korrelationslängen (die den Inselbreiten entsprechen) berechnet und mit entsprechenden Daten aus AFM-Aufnahmen verglichen. Anhand dieser wurden zugleich die aus dem Streulichtprofil gewonnenen qualitativen Aussagen über die Inselhöhe und -form überprüft.