Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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DY: Dynamik und Statistische Physik

DY 53: Reaktions-Diffusions-Systeme

DY 53.1: Vortrag

Freitag, 26. März 1999, 11:00–11:15, R1

Stoßioniationsinduzierte Strukturbildung in Halbleitern mittels Mikrowellen — •F.-J. Niedernostheide¹, J. Hirschinger¹, D. Schowalter¹, V.V. Bel’kov², V. Novák^1,3, S.D. Ganichev^1,2, and W. Prettl¹ — ¹Institut f"ur Experimentelle und Angewandte Physik, Universit"at Regensburg, 93040 Regensburg — ²A. F. Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of the Sciences, St. Petersburg, 194021, Russia — ³Ústav pro elektrotechniku AV CR, 182 02 Praha, Czech Republic

In gering dotierten Halbleiterschichten kann bei elektrischen Feldern von wenigen V/cm ein Nichtgleichgewichtsphasenübergang von einem niedrigleitenden in einen hochleitenden Zustand beobachtet werden. Bei Beschaltung mit elektrischen Gleichfeldern ist dieser Übergang mit der Ausbildung von Stromfilamenten verbunden. Erstmals wurde auch ohne elektrische Kontakte, im elektrischen Wechselfeld von Mikrowellen, die Ausbildung kreisförmiger räumlichen Strukturen in der Elektronendichte gefunden. In Abhängigkeit von der Mikrowellenleistung tritt eine deutliche Hysterese im Entstehungs- und Verlöschprozeß der mikrowelleninduzierten Strukturen auf. Die Abstände der Strukturen werden mit den Ergebnissen zweidimensionaler Berechnungen der Mikrowellenfeldverteilung verglichen.