Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 1: Hauptvortrag

HL 1.1: Hauptvortrag

Montag, 22. März 1999, 09:30–10:30, H1

125 Jahre Metall-Halbleiter-Kontakt: Wo stehen wir heute? — •W. Mönch — Laboratorium für Festkörperphysik, Gerhard-Mercator-Universität, 47048 Duisburg

F. Braun berichtete 1874 erstmals über gleichrichtende Eigenschaften von Metall-Halbleiter-Kontakten. Zwar erklärte W. Schottky schon 1938 dieses Phänomen durch Verarmungsrandschichten auf der Halbleiterseite solcher Grenzflächen, jedoch werden die Mechanismen, die den Barrierenhöhen zu Grunde liegen, noch immer kontrovers diskutiert. Dies liegt zum Teil daran, daß die experimentellen Barrierenhöhen unkritisch mit theoretischen Resultaten für ideale Kontakte verglichen werden. Es wird gezeigt, daß das Kontinuum der Metall-induzierten Bandlückenzustände die Barrierenhöhen abrupter, zwischenschicht- und defektfreier, sowie lateral homogener Metallkontakte auf Si, GaN, GaAs, CdTe und den beiden SiC-Polytypen 4H und 6H erklären. Weitere und dann sekundäre Mechanismen werden erläutert.