Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Amorphe Halbleiter

HL 10.6: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 18:45–19:00, H3

Elektronische Eigenschaften von nanokristallinem Silizium aus Hot-Wire Deposition — •Rudolf Brüggemann, Jean-Paul Kleider und Christophe Longeaud — LGEP, Supelec, F-91192 Gif-sur-Yvette

Die sog. Hot-Wire Deposition ist neben der plasmaunterstütztzen Gasphasendeposition ein vielversprechendes Verfahren zur Herstellung von vielkristallinen Silizium-Dünnschichten. Wir berichten über die Untersuchung einer Serie von solchen Filmen, bei der die Wasserstoffverdünnung im Prozeßgas systematisch bis zum Übergang zu amorphem Wachstum bei niedriger Verdünnung variiert wurde. Der Übergang wird durch verschiedene experimentelle Methoden charakterisiert. Die Dunkelleitung variiert charakteristisch um mehrere Größenordnungen am Übergang. Bei Raumtemperatur zeigen amorphe und nanokristalline Filme vergleichbare photoleitende Eigenschaften. Das Beweglichkeits-Lebensdauer Produkt sowohl der Majoritäts- als auch der Minoritätsträger steigt allerdings mit zunehmender H-Verdünnung an. Im Gegensatz zu amorph gewachsenen Filmen zeigen die nanokristallinen Filme vernachlässigbare lichtinduzierte Degradation.