Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Amorphe Halbleiter

Montag, 22. März 1999, 17:30–19:00, H3

	17:30	HL 10.1	Einfluß von Wasserstoff auf die laserinduzierte Kristallisierung von a-Si:H Schichten — •P. Lengsfeld und N. Nickel
	17:45	HL 10.2	Rauschuntersuchungen an amorphem hydrogenisiertem Silizium — •S. T. B. Goennenwein, M. S. Brandt und M. Stutzmann
	18:00	HL 10.3	Rekombination über flache, lokalisierte Zustände in mikrokristallinem Silizium (µc-Si:H). Eine ESR, EDMR und ODMR Studie. — •Peter Kanschat, Klaus Lips und Walther Fuhs
	18:15	HL 10.4	Lichtemittierende Dioden auf der Basis amorpher Silizium-Suboxide — •Rainer Janssen, Andreas Janotta und Martin Stutzmann
	18:30	HL 10.5	Stimulierte Emission in amorphen Silizium-Suboxiden (a-SiOx:H) — •Andreas Janotta, Rainer Janssen, Lutz Höppel, Mike Kelly und Martin Stutzmann
	18:45	HL 10.6	Elektronische Eigenschaften von nanokristallinem Silizium aus Hot-Wire Deposition — •Rudolf Brüggemann, Jean-Paul Kleider und Christophe Longeaud