Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Quantenpunkte und Quantendr
ähte I

HL 11.8: Vortrag

Montag, 22. März 1999, 17:45–18:00, H4

Starke Intraband-Absorption unter senkrechtem Einfallswinkel in selbstordnenden InAs/InAlAs Quantenpunkten auf InP(001) Substrat — •A. Weber^1,2, O. Gauthier-Lafaye¹, F. H. Julien¹, J. Brault³, M. Gendry³, Y. Désieres⁴ und T. Benyattou⁴ — ¹Institut d’Electronique Fondamentale, Université Paris-XI, F-91405 Orsay — ²gegenw. Adresse: Inst. f. Festkörperphysik, TU Berlin — ³Laboratoire d’Electronique – LEAME, Ecole Centrale de Lyon, F-69131 Ecully — ⁴Laboratoire de Physique de la Matière, INSA de Lyon, F-69621 Villeurbanne

Wir berichten über Infrarot-Spektroskopie an selbstordnenden InAs Quantenpunkten, die im Stranski-Krastanow Wachstumsmodus in einer InAlAs Matrix auf InP(001) Substrat hergestellt wurden. Eine starke Intraband-Absorption, die in der Schichtebene in [110] Richtung polarisiert ist, wurde im 10-20µm Wellenlängenbereich beobachtet und einem Übergang vom Elektronen-Grundzustand zu einem angeregten Zustand zugeordnet. Die Absorption von 10 Ebenen n-dotierter Quantenpunkte unter senkrechtem Einfallswinkel erreicht 7.8%. Die Oszillatorstärke des Intraband-Übergangs ist vergleichbar mit jener, die in Quantenfilmen für Intersubband-Leitungsband-Übergange bei Polarisation in Wachstumsrichtung erreichbar ist. Die starke Polarisations-Abhängigkeit der beobachteten Absorption ist konsistent mit AFM-Bildern, die aufgereihte längliche Quantenpunkte zeigen und auf ein asymmetrisches Confinement-Potential schließen lassen.