Münster 1999 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.16: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Ramanstreuung an Sb-Monolagen auf Si(001) und GaAs(110) — •K. Hinrichs, J.R. Power, N. Esser und W. Richter — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin

An Si(001) und GaAs(110) Oberflächen, die mit einer Monolage Sb (ML) terminiert sind, werden mit Hilfe von Ramanmessungen die Frequenzen und Symmetrien von Sb- Grenzflächenschwingungen bestimmt. Die Ramanergebnisse werden mit Ergebnissen eines auf der Dichtefunktionaltheorie (DFPT) beruhenden Formalismus verglichen.
Um die Sb-1ML-Bedeckung sicherzustellen werden 4ML Sb bei Raumtemperatur auf die reine Probenoberfläche aufgedampft. Durch nachfolgendes Erwärmen auf 400^∘ wird überschüssiges Sb desorbiert und die Sb-1ML gebildet.
Zudem ist es mit Ramanmessungen an Sb auf Si(001) möglich, strukturelle Information bezüglich verschieden rekonstruierter Oberflächendomänen zu erhalten. Für Sb terminiertes Si(001) wird ein Oberflächenphonon bei 131cm⁻¹ für die unverkippte und verkippte (4^∘) Si(001) Oberfläche beobachtet. Die Analyse der Auswahlregeln dieses Grenzflächenphonons zeigt, daß die Intensitäten in den beiden parallelen ([110]||[110] und [110]||[110]) Polarisationskonfigurationen mit dem Flächenverhältnis der (1x2)- und (2x1)-rekonstruierten Domänen verknüpft sind.