Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.29: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Bestimmung elektronischer Eigenschaften von Devices mittels Elektroreflexion — •T. Füller, M. Feige, S. Gundel, M. Ehinger, W. Faschinger, V. Wagner, J. Geurts und G. Landwehr — Physikalisches Institut der Universität Würzburg, EPIII, Am Hubland, D-97074 Würzburg

Optische Methoden zur internen E-Feldbestimmung in Heterostrukturen bieten den Vorteil, daß sie unabhängig von externen Kontakten Informationen liefern und somit im Gegensatz zu elektrischen Messungen gegen einen Spannungsabfall an den äußeren Kontakten und Strömen an Parallelwiderständen unempfindlich sind. In diesem Beitrag werden Elektro- und Photoreflexionsspektroskopie als optische Methoden eingesetzt um MBE-gewachsene II-VI-Photodetektoren im blauen Spektralbereich (ZnMgSeS) und ZnSe-Referenzstrukturen zu analysieren. Wir bestimmen systematisch aus den Franz-Keldysh Oszillationen das innere Feld ohne äußere Spannung, welches zusammen mit der Schichtdicke Rückschlüsse auf die beteiligten Bandoffsets erlaubt. Bei der Verfolgung der E-Feldgröße unter Variation der äußeren Spannung können wir aus dem Verschwinden des Elektroreflexionssignals sehr empfindlich den Wert bestimmen, bei dem das innere E-Feld gerade verschwindet. Letztere Methode benötigt keinen größeren spektralen Bereich wie er zur Analyse der Franz-Keldysh Oszillationen nötig ist, sondern erhält ihre Empfindlichkeit aus dem Vorzeichenwechsel des Elektroreflexionsspektrum wenn das innere E-Feld im Mittel verschwindet. Diese Methode ist somit besonders geeignet um die hier vorliegenden schmalbandige Detektoren zu untersuchen. Die Ergebnisse aus den optischen Messungen werden mit elektrischen Messungen (I/V) und Simulationen zum Bänderschema der Devicestrukturen verglichen.