Münster 1999 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.31: Poster
Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z
Untersuchung des Einflusses lateraler Strukturierung auf freie und gebundene exzitonische Zustände in III-V Halbleiterheterostrukturen — •Robin Fehse1, Thorsten Hartmann1, Peter J. Klar1, Wolfram Heimbrodt1, Sabine Leu1, Siegfried Nau1, Wolfgang Stolz1, Michael Oestreich1, Wolfgang W. Rühle1 und Torsten Henning2 — 1FB Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften der Philipps-Universität Marburg — 2MINA,TU Chalmers und Universität Göteborg, Schweden
Die Veränderung der exzitonischen Lumineszenzbanden von dotierten III-V Halbleiterheterostrukturen bei lateraler Dimensionsreduzierung wurde untersucht. Fünf GaAs/(Al,Ga)As Einzelquantenschichtstrukturen mit Quantenschichtbreiten von 8 nm, einer Al-Konzentration von 30 % und unterschiedlichen Siliziumdotierungen in den Quantenschichten im Bereich 1015 cm−3 bis 1018 cm−3 sind mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie gewachsen worden. Auf Teilstücken der Proben wurden mittels Elektronenstrahllithographie und naßchemischem Ätzen Dotstrukturen mit Durchmessern von 200 nm bis zu 50 nm präpariert. Der Durchmesser der Dots und die Ätztiefe wurden aus Rasterkraftmikroskopaufnahmen bestimmt. Zur optischen Charakterisierung der Proben wurden zeitintegrierte sowie im ps-Bereich zeitaufgelöste Photolumineszenz- und Photolumineszenzanregungsmessungen bei 1.9 K durchgeführt. Die Auswertung der Messungen bietet Einblick in die Rekombinationsmechanismen von Exzitonen an Donatoren und Grenzflächen sowie eine Bestimmung des exzitonischen Einzugsbereichs der Donatoratome.