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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.32: Poster

Montag, 22. März 1999, 14:00–18:00, Z

Photomodulierte Reflexion an (Ga,In)(N,As)/GaAs Quantenschichtstrukturen — •Heiko Grüning, Peter J. Klar, Wolfram Heimbrodt, Falko Höhnsdorf, Jörg Koch und Wolfgang Stolz — FB Physik und Wissenschaftliches Zentrum für Materialwissenschaften der Philipps-Universität Marburg

(Ga,In)(N,As)/GaAs Quantenschichtstrukturen (QSS) werden seit kurzem in der aktiven Region von Halbleiterlasern im Wellenlängenbereich von 1.3 und 1.55 µm, mit dem Ziel zukünftiger Anwendung in der faseroptischen Kommunikation, eingesetzt. Zur Verbesserung der Laser ist ein besseres Verständnis der Bandstruktur solcher QSS nötig. Es wurden mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie zwei Serien von (Ga,In)(N,As)/GaAs QSS gewachsen. In der ersten Serie wurde für 7 nm QSS der Stickstoffgehalt bei fester Indiumkonzentration variiert und in der zweiten die Schichtbreite bei festen Indium- und Stickstoffkonzentrationen verändert. Die exzitonischen Zustände der QSS wurden mit photomodulierter Reflexion und Photolumineszenzspektroskopie im Temperaturbereich von 300 K bis 10 K untersucht. Durch Vergleich mit Modellrechnungen wurden Informationen zur Bandlücke von (Ga,In)(N,As) sowie dem Valenzbandoffset und dem Verspannungszustand der (Ga,In)(N,As)/GaAs QSS gewonnen.