Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help
HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.39: Poster
Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z
Photolumineszenzuntersuchungen an kubischem GaN:Mg — •Torsten Lüttgert1, U. v. Gfug1, M. Straßburg1, A. Hoffmann1, D. J. As2 und T. Simonsmeier2 — 1Institut für Festkörperphysik, TU Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin — 2Universität GH Paderborn, FB 6 Physik, Warburger Str. 100, 33098 Paderborn
Es wurde die Photolumineszenz einer Serie von fünf mit MBE
(molecular beam epitaxy) gewachsenen Proben aus kubischem GaN mit
verschieden hoher Magnesiumdotierung untersucht. Dabei wurde die
Anregungsdichte über vier Größenordnungen variiert.
Aus den Banden (Exzitonenlinien,
Donator-Akzeptor-Paar-Übergang) wurde
ermittelt, das ein Donatorniveau bei 25 meV Abstand vom
Leitungsband liegt und ein Akzeptorniveau bei 130 meV Abstand
vom Valenzband.
Ein weiteres Akzeptorniveau (Magnesium als Akzeptor) liegt bei
240 meV Abstand vom Valenzband. Es wurden auch weitere
Donatorniveaus ermittelt, die wahrscheinlich durch Mg-Cluster
oder Mg auf Zwischengitterplätzen verursacht werden.
Diese haben von Probe zu Probe verschiedene Energien. Beobachtet
wurden 185 meV und 335 meV Abstand zum Leitungsband.