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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.53: Poster
Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z
MBE-Wachstum von Halbleiterheterostrukturen mit hochbeweglichen Elektronen — •D. Reuter, I. Kamphausen und A.D. Wieck — Ruhr-Universität Bochum, Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, Universitätsstrasse 150, 44780 Bochum
In selektiv dotierten III-V-Halbleiterheterostrukturen lassen sich
2-dimensionale Elektronengase erzeugen, in denen die Elektronen extrem hohe
Tieftemperaturbeweglichkeiten erreichen, was für zahlreiche Anwendungen von
großem Interesse ist. Solche Heterostrukturen lassen sich mittels
Molekularstrahlepitaxie (MBE) herstellen. Um höchste Beweglichkeiten zu
erreichen, ist insbesondere der Einbau von Fremdatomen zu minimieren,
was zu sehr aufwendigen und teueren MBE-Anlagen geführt hat. Wir berichten
in diesem Beitrag über unsere Erfahrungen mit einem einfachen, preiswerten
und zuverlässigen MBE-System, in dem Substrate von bis zu
3′′ Durchmesser
verarbeitet werden können. Wir konnten Tieftemperaturbeweglichkeiten von
bis zu 7,9× 106 cm2/Vs bei Elektronendichten von etwa
4× 1011 cm−2 erzielen. Dies wurde insbesondere durch
Optimierung der Wachstumsparameter Substrattemperatur und As-Flux erreicht.
Es werden die apparativen Besonderheiten der MBE-Anlage im Bezug auf die
Wachstumserfolge diskutiert.
Diese Arbeit wurde im Rahmen des Graduiertenkollegs 384 gefördert.