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HL: Halbleiterphysik
HL 12: Poster I
HL 12.55: Poster
Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z
Elektronische Struktur von GaN / Al1−xYxN (Y = Ga, In) Übergitterstrukturen mit mittlerer bis großer Periodenlänge — • G.C. Rohr und O. Hess — Institut für Technische Physik, DLR Stuttgart, Pfaffenwaldring 38-40, D-70569 Stuttgart
Es werden ab - initio Pseudopotentialrechnungen der elektronischen Struktur von
verspannten GaN / Al1−xYxN (Y = Ga, In) Übergittern mit mittlerer bis großer
Periodenlänge (≥ 30 Å) präsentiert. Unsere Rechnungen basieren auf der
Dichtefunktionaltheorie im Rahmen der Lokalen Dichte Näherung (LDA). Neben Ergebnissen
in denen die Gallium und Indium d - semicore Zustände mit Hilfe der nonlinear core correction (NLCC) behandelt werden, sind ausführliche Rechnungen mit
den semicore d - Elektronen in der Valenz durchgeführt worden.
Die Bandzustände im Bereich des fundamentalen Gaps werden durch ihre ortsaufgelösten
Ladungsdichten charakterisiert. Um die prinzipielle Unterschätzung der Bandlücken
in DFT-LDA Ansätzen bei der Bestimmung der Valenzbandoffsets zu korrigieren,
wurde ein simplifiziertes GW - Verfahren eingesetzt.