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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.57: Poster

Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z

Heteroepitaxie von Halbleitern auf passiviertem Silizium — •Hatto Schick, Lars Hansen, Andreas Waag und Gottfried Landwehr — Physikalisches Institut der Universität Würzburg; Am Hubland; 97074 Würzburg

Die Integration der Eigenschaften der III-V und II-VI-Halbleiter mit der Silizium Technologie eröffnet ein breites Feld für (preiswerte) optoelektronische Bauelemente. An der Grenzfläche zwischen dem HL und Si entstehen jedoch aufgrund elektronischer Unterschiede und der hohen Gitterfehlanpassungen im Bereich von einigen Prozent vermehrt Defekte, die sich durch das gesamte Bauelement hindurchziehen können. Wir stellen erste Ergebnisse zur elektronischen Passivierung der Silizium-Grenzfläche mittels Arsen und Stickstoff vor. Eine dünne BeTe-Pufferschicht auf dem Si-Substrat verringert aufgrund des hohen kovalenten Anteils der Be-Te-Bindung die Ausbreitung von Defekten in darauf mit Molekularstrahlepitaxie gewachsene Halbleiterschichten hinein. Trotz hoher Gitterfehlanpassung zwischen BeTe und Si können BeTe Rheed Oszillationen beim Wachstumsstart beobachtet werden. Ein Ziel dieser Untersuchungen ist die Präparation möglichst defektarmer CdTe-Schichten auf derart vorbehandelten Si-Substraten.