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HL: Halbleiterphysik

HL 12: Poster I

HL 12.6: Poster

Monday, March 22, 1999, 14:00–18:00, Z

Untersuchungen an mittels Hot-Wire CVD Verfahren hergestellten Sola= r-Siliciumschichten — •M. Ramadori¹, V. Schlosser¹, A. Breymesser¹, M. Stöger², P. Schattschneider², D. Peiro³, C. Voz³, J. Bertomeu³, J. Andreu³ und B. Jouffrey⁴ — ¹Institut für Materialphysik der Universität Wien, 1090 Wi= en, Strudlhofgasse 4, Österreich — ²Institut für Angewandte und Technische Physik, Technische = Universität Wien, 1040 Wien, Wiedner Hauptstraße 8-10, Österreich — ³Department de Fisica Aplicada i Electronica, Universitat de = Bercelona, 08028 Barcelona, Av. Diagonal 647, Spain — ⁴Ecole Centrale de Paris, Labo MSSMat

Es werden die elektrischen Eigenschaften von polykristallinem Solar-Siliciu= m Dünnschichten untersucht, die mit Hot-Wire Chemical Vapour Deposition (H= WCVD) auf Glassubstraten bei 429 K bis 580 K abgeschieden wurden. In Hinbli= ck auf die mögliche Verwendun

g der Dünnschichten als Basismaterial f=FCr Solarzellen wurden die folgend= en Experimente durchgeführt: Hallmessungen zur Bestimmung der Ladungsträg= erkonzentration und -beweglichkeit, Messung der Temperaturabhängigkeit des= Widerstandes an Luft, in Sticks

toffatmosphäre und im Vakuum. Im Vakuum werden gleichzeitig mit einen Mass= enspektrometer die Partialdrücke von Wasserstoff und Sauerstoff bestimmt. = Die gemessenen Partialdrücke während des Aufheizens lassen Rückschlüsse= auf das Abdampfen bzw. Ausdif

fundieren der beiden Elemente zu. Aus den Meßdaten wird versucht den Einfl= uß auf das elektrischen Verhalten der Dünnschichten zu finden. Parallel und ergänzend zu diesen Analysen werden die Proben mit TEM (Trans= missionselektronenmikroskopie) und EELS (Elektronenenergieverlustspektromet= rie) untersucht. =20